随着半导体产业迈向下一代3D架构，业界对能让良率在更短时间内达到量产水准的制程控制解决方案的需求日益增加。闸极全环(GAA)电晶体、极紫外光(EUV)微影和更小的记忆体装置，对检测技术提出了新的挑战，因为检测设备必须能检测出埋在3D结构内的缺陷。而且，随着关键尺寸缩小，这些缺陷的尺寸可能只有数奈米，甚至只有几粒原子的厚度。…